3nm tehnoloģija tika atklāta! Samsung akcijas jaunākās 3GAE procesa detaļas

Nesenajā IEEE International Cietvielu ķēžu konferencē Samsung dalījās detaļās par savu 3nm GAE MBCFET mikroshēmu.

Saskaņā ar jaunāko ziņojumu, ko Digitimes, TSMC 3nm process sāks izmēģinājuma ražošanu šā gada otrajā pusē. Pēdējos gados Samsung un TSMC konkurss uzlabotas tehnoloģiju procesos ir kļuvis aizvien vairāk sīva. Lai gan Samsung ir atpalikusi aiz TSMC, tas pastāvīgi tuvojas.

Tiek ziņots, ka attiecībā uz 3nm procesu, TSMC joprojām uzstāj, izmantojot Finfet tehnoloģiju, bet Samsung ir izvēlējusies pāriet uz nanochip tranzistoriem.

Saskaņā ar Taejoong dziesmu, Samsung Electronics viceprezidents sanāksmē, nano-mikroshēmu strukturētais tranzistors būs veiksmīgs dizains, jo šī tehnoloģija var nodrošināt "lielu ātrumu, zemu enerģijas patēriņu un nelielu platību."

Faktiski jau 2019. gadā Samsung pirmo reizi paziņoja par 3nm procesu un skaidri norādīja, ka tas atteiksies finfet. Samsung savu 3nm procesu sadala 3GAE un 3GAP. Sanāksmē Samsung teica, ka 3GAE procesa mezgls sasniegs līdz 30% darbības uzlabošanai, bet enerģijas patēriņu var samazināt par 50%, un tranzistora blīvumu var palielināt arī par 80%.

Tā kā tas atpaliek no TSMC pie 7nm un 5nm procesa mezgliem, Samsung ir lielas cerības uz 3nm procesu un cer izmantot nanochip tranzistoriem, lai apsteigtu TSMC.

Tiek ziņots, ka ir paredzams, ka Samsung 3GAE process tiks oficiāli uzsākts 2022. gadā, un daudzās sanāksmē redzamās detaļas norāda, ka Samsung ir veikusi vēl vienu soli uz priekšu 3nm procesā.

Spriežot pēc Samsung 3GAE procesa uzsākšanas laika, Samsung un TSMC, neapšaubāmi būs intensīvāka konkurence par uzlabotiem 3nm procesiem 2022. gadā.