Izrāviens! Kioxia izstrādāja 170 slāņu NAND zibatmiņas produktus

Nikkei Asian Review ziņoja, ka šī jaunā NAND atmiņa tika izstrādāta kopīgi ar Western Digital, ASV partneri, un tās datu rakstīšanas ātrums ir vairāk nekā divas reizes lielāks nekā pašreizējam Kioxia top produktam (112 slāņi).

Turklāt Kioxia ir arī veiksmīgi uzstādījis vairāk atmiņas šūnu uz katra jaunā NAND slāņa, kas nozīmē, ka tas, salīdzinot ar tādas pašas ietilpības atmiņu, var samazināt mikroshēmu par vairāk nekā 30%. Mazākas mikroshēmas ļaus lielāku elastību viedtālruņu, serveru un citu produktu konstrukcijā.

Tiek ziņots, ka Kioxia plāno uzsākt savu jauno NAND notiekošajā Starptautiskajā cietvielu aprites konferencē, un paredzams, ka masveida ražošana tiks sākta jau nākamajā gadā.

Pieaugot 5G tehnoloģijai, plašākam mērogam un ātrākai datu pārraidei, Kioxia cer apmierināt pieprasījumu, kas saistīts ar datu centriem un viedtālruņiem. Tomēr konkurence šajā jomā ir pastiprinājusies. Micron un SK Hynix pirms Kioxia ir paziņojuši par 176 slāņu NAND.

Lai palielinātu zibatmiņas jaudu, Kioxia un Western Digital šopavasar plāno uzcelt Japānā Yokkaichi 1 triljonu jenu (9,45 miljardu USD) rūpnīcu. Viņu mērķis ir atvērt pirmās ražošanas līnijas 2022. gadā. Turklāt Kioxia ir iegādājies arī daudzas rūpnīcas blakus Kitakami rūpnīcai Japānā, lai nākotnē tā varētu paplašināt ražošanas jaudu.